去年全球还在高呼芯片短缺,今年以来诸多芯片行业就陆续出现芯片供给过剩,近期分析机构指出存储芯片行业库存高企导致芯片价格暴跌,已较年初下滑三成,业界担忧存储芯片价格将继续下跌。
存储芯片库存高企在于多项因素造成的,首先就是需求下跌,今年以来对存储芯片需求较大的PC和手机都出现销量下滑,其中手机的销量下滑最为明显,一季度全球市场的手机出货量下滑8.9%,直接导致中国手机企业砍单2.7亿部,随后三星也被传出砍单5000万。
其次是芯片产能增加,由于以来的芯片供应短缺,全球几大存储芯片企业都在加紧扩张产能,的时候全球最大的存储芯片企业三星就曾宣布将向西安工厂投资80亿美元扩张产能,提升它在全球存储芯片市场的占有率,如今这些存储芯片企业的新建生产线陆续投产。
中国大陆刚进入存储芯片行业不久的长江存储和合肥长鑫也在这几年陆续投产,目前它们的NAND flash、DRAM存储芯片都已上市销售一年多,业界预期长江存储将在今年取得全球存储芯片市场超7%的市场份额而超越Intel成为第六大NAND flash厂商,中国厂商进入存储芯片行业也大幅增加了存储芯片的产能。
再次是技术的升级推动了存储芯片的供应量大幅增长,过去数年全球NAND flash存储芯片从32层3D NAND发展到128层 3D NAND,单位体积的GB容量增长了三倍多,技术的快速升级在推动产量增长的同时也不断降低成本。
一方面是需求的显著下滑,另一方面则是技术升级和产能增加,最终导致了如今的存储芯片供应过剩已相当严重,特别是NAND flash的供应过剩尤为严重,业界人士指出部分存储芯片企业的存储芯片已堆积如山,然而存储芯片企业是无法停止生产的,因此库存只会越来越严重。
在此时中国大陆的两大存储芯片企业的二期项目正如火如荼推进,其中长江存储的二期项目预计今年底就能投产。据合肥长鑫和长江存储披露的信息显示它们的二期项目产能将是目前投产产能的两倍,这意味着它们的二期项目在明年全数投产后,中国的存储芯片产能将再增加两倍。
在当前存储芯片进入下行周期之际,中国存储芯片逆周期扩张,此举对于中国存储芯片产业来说或许是好事,因为中国的芯片制造成本比美日韩同行更低,在下行周期,谁的成本更低就更容易获利。
逆周期扩张的策略最先是三星采用的,三星在存储芯片市场多次推进逆周期扩张,导致日本存储芯片企业的市场份额日益萎缩,日本的存储芯片企业尔必达更因此而破产,最终成就韩国企业在全球存储芯片市场取得第一名,中国存储芯片如此做可望复制三星的路径。
相比起韩国的存储芯片企业,中国的存储芯片企业更有中国制造兜底,毕竟中国制造需要大量存储芯片,无论中国两家存储芯片企业生产多少,国内市场都能消化,这更是中国存储芯片产业的底气,可以预期中国存储芯片将很快突围而出,在全球存储芯片市场夺取更多市场份额,甚至在未来数年有望挑战韩国存储芯片企业。