中国半导体领域近日再度传来好消息。据观察者网6月22日援引国内巨头紫光集团最新消息，总投资240亿美元的长江存储国家存储器基地，其二期（土建）项目目前已在武汉东湖高新区开工，规划每月生产20万片存储芯片产品，达产后与一期项目合计月产能将达30万片。这也意味着，中国将在存储芯片领域进一步降低对外依存度。
据悉，长江存储国家存储器基地项目分两期建设3D NAND闪存芯片工厂，其中，项目一期目前已实现32层、64层存储芯片产品的稳定量产。不只如此，在64层3D NAND闪存量产7个月后，长江存储今年4月还宣布新的研发进展——跳过96层，成功研制出业内已知型号产品中最高单位面积存储密度、最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量的128层闪存。
有机构就预计，此举将让中国与美日韩芯片巨头的技术差距缩小1到2年，实现弯道超车。另外，有业内人士还指出，基于长江存储一期项目的突破，届时其全球占率将达到5%左右。
实际上，长江存储的突破对我国相关行业也存在着巨大的利好。存储器是信息系统的基础核心芯片，也是中国进口金额最大的集成电路产品，但近些年，国际市场内存、固态硬盘、显卡价格不断上涨，原因在于存储芯片掌握在少数国外厂家手中。
去年5月，有外媒就曾表示，长江存储进入64层闪存市场的脚步已经势不可挡，在其大规模生产之后，全球64层3D NAND市场的竞争无疑将变得更加激烈，对于美日韩的芯片巨头来说，其价格预计也将变得“难看”。换句话说，存储芯片国产化将有利于降低国内半导体产品的成本、摆脱对外依赖，并进一步打破美日韩的垄断。
