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打破国外垄断 国产高能离子注入机重大突破 华为芯片有望了?

时间:2019-01-18 02:43:30

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打破国外垄断 国产高能离子注入机重大突破 华为芯片有望了?

文/南方科技君

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美国断供华为芯片

由于华为在5G技术方面的领先地位,美国从去年五月份起就开始对华为实施贸易限制。

除了诬蔑华为设备存在不可预知的安全隐患和后门之外,今年5月份起甚至修改《出口管制条例》要求所有使用美国的设备和技术的厂商在未经美国商务部同意的情况下,不得向华为出售设备或技术。

这也意味着包括台积电在内的芯片代工厂商在120天之后,都无法再为华为提供芯片。而国内的芯片代工厂商中芯国际只有14nm制程的代工能力,14nm制程相对于目前主流的5nm制程,还是有不小的差距,这只是相当于几年前iPhone 6s时代的技术水准。

而如果麒麟芯片退化到使用14nm制程技术,华为不仅会失去高端市场,同时低端市场也会遭受重大打击。不过即便是中芯国际在自己的生产线中也用到了美国技术,也要受到《出口管制条例》新规限制,所以此前也在招股书中披露,可能无法为某些企业代工。

虽然中芯国际并没有明确指出是哪一家企业,但是明眼人都知道这里指的就是华为。

此外,虽然说华为也可以通过购买高通和联发科的厂商的芯片来替代麒麟芯片,但是缺乏了自主创新的核心部件,华为产品的竞争力将大幅下降,最终失去核心领域的领导权。

不过就在近日,中国电科正式宣布了一则好消息,国产芯片制造获得重大技术突破,高能粒子注入机的研发成功给中国芯片自主制造注入了新的活力。或许此次华为芯片供应链就“有救”了?

中国电科芯片制造重大技术突破

中国电科全称中国电子科技集团,直属于信息产业部,是大型的国有企业。在世界五百强中排名第370位,主要从事国家重要领域的电子设备和器件的研发生产,在众多领域承担了重要的系统工程,拥有雄厚的技术实力。

据了解,这次中国电子科技集团下属的电科装备公司自主研制的高能离子注入机性能达到了国际领先水平,是芯片国产化的重要突破。

因为在芯片制造过程中,需要掺杂不同种类的元素来改变芯片材料的电性能,在专业领域称之为“掺杂”。只有经过掺杂的半导体材料才能够被制作成晶圆。

而该技术一直以来都被外国封锁和垄断,一直是我国集成电路制造装备产业链上的拦路虎。

而这次高能粒子注入机的研制成功,不仅打破了国外在这一技术上的垄断,同时也打开了我国芯片自主研制阶段全新的征程,也为全球芯片制造厂商提供了新的物美价廉的离子注入机。

先是上海微电子宣布28nm光刻机一年内交付,接着又是中国电科成功研发高能粒子注入机打破垄断。由此可见,美方对我国的技术打压反而正如我们之前所料,只要有市场出现,就会倒逼我国相关产业进步。

离子注入机研制成功对华为芯片的影响

虽然说华为为今年第四季度发布的旗舰手机做了充足的货源储备,但是在这之后以及技术革新后的货源仍然无法保证。

这次中国电子科技集团研发成功高能粒子注入机,虽然并不是芯片自主研发领域的完全突破,但是仍然给国内芯片制造领域注入了新的能量。

相信只要我们持之以恒地投入研发,在高能离子注入机研发成功之后,我们还可以逐步地攻破包括光刻机在内的芯片制造技术,打破国外对我们的技术封锁,从而实现芯片的完全自主研发生产。

写在最后

根据“中国制造2025”计划,在2025年我国国产芯片自给率应达到70%全面实现中国芯片自主国产化,计划的实施也需要包括科研人员在内的我们所有人共同努力。

我们目前要做的就是不要逃避困难,要迎难而上。新技术研发成功后,不可避免地将面对外国资本主义对我们的技术倾销,以此来打垮我国自主研发的动力。

技术的落后与和没有技术是两个完全的概念,我们要给予国产设备足够的信心,同时也要支持国产设备。只有打破封锁,才能拨开云雾见青天,才能改变技术上被‘卡脖子“的命运。

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