感应电荷 induced charge英语短句 例句大全

感应电荷,induced charge

1)induced charge感应电荷

1.The calculation and application of the interacting energy between inducing charge andinduced charge;施感电荷与感应电荷之间相互作用能的计算及应用

2.Distribution ofinduced charge and electric fieldin the plane of the conductor;导体平面上感应电荷及空间电场分布

3.A simple method for calculatinginduced charges of a conductor linking with the ground;求接地导体感应电荷的一种简便方法

英文短句/例句

1.The Center of Mass,Center of Gravitation and the Center of Inductive Electric Charge;质心、引力作用中心与感应电荷中心

2.Is the Amount of Inductive Charge on the Conductor Equal Between the Pre-seperation and Post-seperation?;导体分开前后导体上的感应电荷量不相等

3.Probability Density Function of Voltage Sag Sensitivity and Its Application敏感负荷电压凹陷敏感度概率密度函数及应用

4.The Realization of Induction Motor Collecting Charge by Anticlockwise Process;感应起电机逆时针旋转可收集电荷的实现

5.Experiment on Parameter Effect of Ring Electrode in Charged Induction感应荷电中环形电极参数影响的实验研究

6.Capacitor-Compensated Starting of Induction Motors in Distribution Network Based on Synthesis Load Model应用综合负荷模型的电容补偿配电网感应电动机起动方法

7.Load Dynamic Characteristics Synthesis Based on Parameter Clustering of Induction Motor基于感应电机参数聚类的负荷动特性综合方法

8.When human has contact to Touch pad, electric charge in the human body will be accumulated through the Touch pad.当人体接触感应焊盘时，在人体里的电荷将被通过感应焊盘积累。

9.Study on Voltage Stability Analysis and Its Application Considering Induction Motor Loads;计及感应电动机负荷的电压稳定分析及其应用研究

10.charge coupled image sensor电荷耦合摄像传感器

11.charge transfer image sensor电荷转移图像传感器

12.Know by careful study how the noise current that bas been captured by the shield returns to "ground".干扰源会在屏蔽体上感应出电荷，因此一定要深入研究并掌握电荷的泄放路径。

13.The Application of CCD Image Sensor to LLL Imaging System电荷耦合器件图像传感器在微光成像系统中的应用

14.Study on Soft Start and Control of Induction Motors with Variational Loads;感应电机在变负荷条件下软起动及跟踪控制研究

15.It traps charges, lowering the voltage on the ionosphere, and on us.它挡住了电荷（挡住了太阳风），使电离层的电压降低，也使我们身体上感应的电压降低。

D photodiode sensor电荷耦合器件光电二极管传感器

17.ACOUSTIC RESPONSES TO ROCK CORE UNLOADING-DISTURBANCE AND UNLOADING-SENSITIVE ROCK MASS岩芯卸荷扰动的声学反应与卸荷敏感岩体

18.Power system equipment and loads which are more sensitive to harmonics.电力系统设备和负荷对谐波更为敏感。

相关短句/例句

inductive charge感应电荷

1.This paper discusses the relations of the amount of theinductive charge between the pre-seperations and post-seperations on the conductor,corrects the errors in some teaching materials and provides the correct pictures for the inductive electrification.讨论了导体分开前后感应电荷量间的关系;纠正了一些教材中的错误;为感应起电提供了正确的图象。

3)charge induction电荷感应

1.With the designedcharge induction instrument,thecharge induction signal and magnetic signal of the granite samples in deformation and fracture process were experimently studied under uniaxial compression.利用自主研制的电荷感应仪对花岗岩样品在单轴压缩变形破裂过程中产生的电荷感应信号和磁信号进行了实验研究。

4)induction charging感应荷电

1.Experiment oninduction charging effect of injection spray of electrode circle diameter;电极环直径的射流喷雾感应荷电效果试验

5)charge induced layer电荷感应层

1.These results suggest that resistance of thecharge induced layer influences spatial resolution less than the counting rate.利用电子束真空蒸镀方法制作了Ge薄膜,用作感应读出方式光子计数成像系统的电荷感应层,研究了石英玻璃衬底和陶瓷衬底上Ge薄膜的结构特征、表面形态以及各种工艺参数对薄膜电阻的影响。

6)inducing charge"s equivalent point charge感应电荷的等效点电荷

延伸阅读

半导体的导电与电荷输运半导体的导电与电荷输运conductanceand charge transport in semiconductor“一斋<:>厂rE嚼。:丈“E4fod二于声学声子散射，r一3厂/8一1.18;而对于电离杂质散射，r二315厂/512=1 .93。在:与能量无关的情况下，r一1。如果n》P，有R一r(二皿)2一3 一 一一 、/r /、式中E为电子能量。对P之0，有e如果P》n，有 肠一丽轰在类似假设下，空穴迁移率召p也有类似洲n的公式，即有同时适用于电子与空穴的迁移率公式为 e(r>n，l、了(-r气—少 即召一~下沌不#取决于m‘和<价，在不同散射机制下有不同的表达式。对于电离杂质散射，相应迁移率召，为由上两式，如果测定了霍耳系数，据其符号可以确定半导体的导电类型，而据其数值可求出载流子浓度。对于n》p的情况，有R6~一塑n;对于力》”的情况，有RJ一举p。定义霍耳迁移率#。一}R6}。对于n》P或P》n的半导体都有丛区丝丝丝工广兰筋m*能3{，n〔‘+代墙早)2〕}一’式中N为电离杂质密度，‘是半导体介电常数。由于括号的量变化慢，近似有，，二(，，)一斌一‘T普对于声学声子散射，相应载流子迁移率角公式为卫亘一r 召测量电导与霍耳系数，可以求出霍耳迁移率召H。它与漂移迁移率之比的数量级为1的因子r，它的具体数值取决于载流子散射机构。织涯呀e丫Cl3百护m·鲁(尤丁)3‘，州m，)一号T一号夯十几才刀犬二-犷一一一///十十式中Cll是半导体平均纵弹性常数;El是形变势常数，即晶格单位体积改变引起的能带边移动的绝对值。对于极性半导体(如GaAs)光学声子散射，相应的迁移率脚p为匕丸21，11、一;腼一丽而面i劝丽落痴德、百一百，-·〔exp(骨卜1〕式中臼Lo为长波纵光学声子的频率，匀与‘分别为半导体静介电常数与光频介电常数。对于几种散射机构同时起作用的情况，载流子迁移率由这几种散射机构共同确定。设3种散射机构单独起作用时，迁移率分别为角、脚和灼，则三者同时存在条件下的载流子漂移迁移率户近似由下式确定l召一工一+土十1-召l召2召a霍耳系数半导体中，若同时存在电流I及与电流相垂直的磁感应强度B(分别在图2中x与之方向上)，当载流子是电子(空穴)时，它就逆(沿)着I的方向而漂移;另一方面，它又受到洛伦兹力作用，相对漂移运动方向偏转，在垂直于电场与磁场的y方向上引起正比于I与B的横向电场肠，对电子与空穴来说，其方向正相反，该现象称为霍耳效应。肠可写为:肠二尺石日，式中R为与I、B无关的常数，称霍耳系数R一rl eP一bZ”(P+b”)式中b一肠/脚，r一<尸>/(价2。在非简并情况下，对 图竺霍耳效应不意图 a载流子为电子b载流子为空穴磁阻假设磁场足够弱，并不影响半导体样品的电导或电阻;如果磁场强，则发现半导体的电阻显著增大，这一现象称为磁阻效应。磁阻通常定义为磁场作用下电阻值的相对变化 -全卫一三宜二鱼P Po式中P0和pB分别为没有磁场和有磁场时半导体的电阻率。设磁场方向与电流方向垂直(相应磁阻称为横向磁阻)，对于刀》P的情况，△p/p。竺1『2‘BZ;对于P》刀防祛。△P~，八一2二2D2，、二_，，、，，八2/、，的情况，~二10一z‘BZ。这里#n或召p以10 em“/(V·s) 户。”一·--·一_为单位，而B以10‘高斯为单位。强电场下电导与热载流子在弱电场情况下，电流密度J与载流子漂移速度都正比于电场强度，即电导率与载流子迁移率都是与电场无关的常数。但是当电场增强到一定程度(对于许多半导体，为10”V/cm量级)，载流子漂移速度与电场之间的正比关系不能保持。锗、硅及砷化稼中载流子漂移速度与电场强度之间关系见图3。从图3可见，电场进一步增强时，锗与硅中载流子的漂移速度达到饱和值。在更强的电场下出现碰撞离化，载流子密度增加。