胶体电荷 colloid charge英语短句 例句大全

胶体电荷,colloid charge

1)colloid charge胶体电荷

2)colloid surface negative charge胶体表面负电荷

3)constant charge soil colloid恒电荷土壤胶体

1.Charge characteristics ofconstant charge soil colloids;恒电荷土壤胶体表面的电荷特征

英文短句/例句

1.Characteristics of DNA Adsorption and Desorption in Variable and Constant Charge Soil Colloids可变电荷与恒电荷土壤胶体对DNA吸附与解吸特征

2.Clay Mineralogy and the Amount of Charge of Rubber Plantation Soils in Hainan海南岛橡胶园土壤粘土矿物组成与土壤电荷量

3.Interactions and Energy Relationships between Heavy Metal Ions and Clay Fractions of Constant Charge Soils;重金属离子与恒电荷土壤黏粒的相互作用及能量关系研究

4.Adsorption, Desorption and Activities of Acid Phosphatase on Various Active Particles from a Permanent-charge Soil;恒电荷土壤活性颗粒表面酸性磷酸酶吸附、解吸及活性

5.INTERACTION OF COLLOIDAL ELECTRICAL DOUBLE LAYERS AND SIMULTANEOUS ADSORPTION OF CATIONS AND ANIONS IN VARIABLE CHARGE SOILS可变电荷土壤中胶粒双电层的相互作用与阴阳离子同时吸附

6.Effects of Interactions Between Surface Charges and Ions on Conductance of Variably Charged Soil土壤表面电荷与离子间的相互作用对可变电荷体系电导的影响

7.Charge Property of Soil Surface in Rubber Plantation in Hainan and Its Major Influencing Factors海南胶园土壤表面电荷特性及其主要的影响因子

8.EFFECT OF THE EXISTING TYPE OF IRON OXIDES ON ZETA POTENTIAL OF A SOIL AND MINERALS氧化铁的存在方式对土壤和黏土矿物胶体动电电位的影响

9.Analysis of fingerprint charge of soil and nutrient status in the karst area岩溶区土壤指纹电荷表征的土壤养分状况分析

10.Dynamic Light Scattering Study on the Aggregation Kinetics of Soil Colloidal Particles in Different Electrolyte Systems不同电解质体系中土壤胶体凝聚动力学的动态光散射研究

11.Clay mineral composition and surface charge characteristics of red earth and yellow brown earth were studied.本文研究了红壤与黄棕壤的粘粒矿物组成与土壤的表面电荷特征。

12.Colloids contribute to the character of the soil in other ways.胶质体对土壤的其它性状也有影响。

13.Kinetic Study of PCP Reductive Transformation on Surface of Soil Colloids;土壤胶体界面五氯酚的还原转化研究

14.CHARACTERIZATION OF SOIL NANO-COLLOIDAL PARTICLES BY ATOMIC FORCE MICROSCOPY原子力显微镜表征土壤中的纳米胶体

15.Characteristics or zero point of charge of volcanic ash soils in Changbaishan and Wudalianchi.长白山和五大连池火山灰土壤电荷零点特性

16.DNA Adsorption and Desorption Characteristic of Variable and Constant Charge Soils and Minerals不同电荷类型土壤与矿物对DNA吸附与解吸特征

17.EVALUATION OF SURFACE CHARGE CHARACTERISTICS OF SOILS USING MULTI-LANGMUIR MODEL应用Multi-Langmuir模型评价土壤的表面电荷特性

18.COORDINATION ADSORPTION OF ARSENATE ON THE PARTICLES OF VARIABLE CHARGE SOILS砷酸根在可变电荷土壤颗粒表面的配位吸附

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colloid surface negative charge胶体表面负电荷

3)constant charge soil colloid恒电荷土壤胶体

1.Charge characteristics ofconstant charge soil colloids;恒电荷土壤胶体表面的电荷特征

4)collcid charge titration胶体电荷滴定

5)micellar charge胶束电荷

6)cationic colloid正电荷溶胶

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半导体的导电与电荷输运半导体的导电与电荷输运conductanceand charge transport in semiconductor“一斋<:>厂rE嚼。:丈“E4fod二于声学声子散射，r一3厂/8一1.18;而对于电离杂质散射，r二315厂/512=1 .93。在:与能量无关的情况下，r一1。如果n》P，有R一r(二皿)2一3 一 一一 、/r /、式中E为电子能量。对P之0，有e如果P》n，有 肠一丽轰在类似假设下，空穴迁移率召p也有类似洲n的公式，即有同时适用于电子与空穴的迁移率公式为 e(r>n，l、了(-r气—少 即召一~下沌不#取决于m‘和<价，在不同散射机制下有不同的表达式。对于电离杂质散射，相应迁移率召，为由上两式，如果测定了霍耳系数，据其符号可以确定半导体的导电类型，而据其数值可求出载流子浓度。对于n》p的情况，有R6~一塑n;对于力》”的情况，有RJ一举p。定义霍耳迁移率#。一}R6}。对于n》P或P》n的半导体都有丛区丝丝丝工广兰筋m*能3{，n〔‘+代墙早)2〕}一’式中N为电离杂质密度，‘是半导体介电常数。由于括号的量变化慢，近似有，，二(，，)一斌一‘T普对于声学声子散射，相应载流子迁移率角公式为卫亘一r 召测量电导与霍耳系数，可以求出霍耳迁移率召H。它与漂移迁移率之比的数量级为1的因子r，它的具体数值取决于载流子散射机构。织涯呀e丫Cl3百护m·鲁(尤丁)3‘，州m，)一号T一号夯十几才刀犬二-犷一一一///十十式中Cll是半导体平均纵弹性常数;El是形变势常数，即晶格单位体积改变引起的能带边移动的绝对值。对于极性半导体(如GaAs)光学声子散射，相应的迁移率脚p为匕丸21，11、一;腼一丽而面i劝丽落痴德、百一百，-·〔exp(骨卜1〕式中臼Lo为长波纵光学声子的频率，匀与‘分别为半导体静介电常数与光频介电常数。对于几种散射机构同时起作用的情况，载流子迁移率由这几种散射机构共同确定。设3种散射机构单独起作用时，迁移率分别为角、脚和灼，则三者同时存在条件下的载流子漂移迁移率户近似由下式确定l召一工一+土十1-召l召2召a霍耳系数半导体中，若同时存在电流I及与电流相垂直的磁感应强度B(分别在图2中x与之方向上)，当载流子是电子(空穴)时，它就逆(沿)着I的方向而漂移;另一方面，它又受到洛伦兹力作用，相对漂移运动方向偏转，在垂直于电场与磁场的y方向上引起正比于I与B的横向电场肠，对电子与空穴来说，其方向正相反，该现象称为霍耳效应。肠可写为:肠二尺石日，式中R为与I、B无关的常数，称霍耳系数R一rl eP一bZ”(P+b”)式中b一肠/脚，r一<尸>/(价2。在非简并情况下，对 图竺霍耳效应不意图 a载流子为电子b载流子为空穴磁阻假设磁场足够弱，并不影响半导体样品的电导或电阻;如果磁场强，则发现半导体的电阻显著增大，这一现象称为磁阻效应。磁阻通常定义为磁场作用下电阻值的相对变化 -全卫一三宜二鱼P Po式中P0和pB分别为没有磁场和有磁场时半导体的电阻率。设磁场方向与电流方向垂直(相应磁阻称为横向磁阻)，对于刀》P的情况，△p/p。竺1『2‘BZ;对于P》刀防祛。△P~，八一2二2D2，、二_，，、，，八2/、，的情况，~二10一z‘BZ。这里#n或召p以10 em“/(V·s) 户。”一·--·一_为单位，而B以10‘高斯为单位。强电场下电导与热载流子在弱电场情况下，电流密度J与载流子漂移速度都正比于电场强度，即电导率与载流子迁移率都是与电场无关的常数。但是当电场增强到一定程度(对于许多半导体，为10”V/cm量级)，载流子漂移速度与电场之间的正比关系不能保持。锗、硅及砷化稼中载流子漂移速度与电场强度之间关系见图3。从图3可见，电场进一步增强时，锗与硅中载流子的漂移速度达到饱和值。在更强的电场下出现碰撞离化，载流子密度增加。