甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD),VHF-PECVD
very-high-frequency plasma enhanced chemical vapor deposition(VHF-PECVD)甚高频等离子体化学气相沉积(VHF-PECVD)
3)very high frequency plasma enhanced chemical vapor deposition(VHF-PEVCD)甚高频等离子体化学气相沉积(VHF-PEVCD)
4)very high frequency plasma enhanced chemical vapor deposition甚高频等离子体增强化学气相沉积
1.Study of space voltage distribution between large-area parallel-plate electrodes forvery high frequency plasma enhanced chemical vapor deposition;甚高频等离子体增强化学气相沉积大面积平行板电极间真空电势差分布研究
2.In the process of the high growth rate μc-Si:H film deposited byvery high frequency plasma enhanced chemical vapor deposition(VHF-PECVD),the high energy ion impinging on the growing surface could deteriorate the device performance.在采用高压高功率的甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术高速沉积微晶硅(μc-Si:H)太阳电池过程中,产生的高能离子对薄膜表面的轰击作用会降低薄膜质量和破坏p型掺杂层(p层)与本征层(i层)之间的界面特性。
3.The deposition parameters of hydrogenated microcrystalline silicon(μc-Si:H)films were optimized for two factors,the siliane concentration and total flow rate,under high deposition power density and high deposition pressure byvery high frequency plasma enhanced chemical vapor deposition(VHF-PECVD).采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术在高功率密度和高压强条件下,通过改变硅烷浓度和气体总流量对薄膜沉积参数进行了两因素优化,最终在硅烷浓度为4。
5)VHF-PECVD甚高频等离子体增强化学气相沉积
1.A series of microcrystalline silicon thin films were fabricated by very high frequency plasma enhanced chemical vapor deposition (VHF-PECVD) at different silane concentrations in a P chamber.在掺杂P室采用甚高频等离子体增强化学气相沉积( VHF-PECVD)技术,制备了不同硅烷浓度条件下的本征微晶硅薄膜。
2.Finally, high-quality microcrystalline silicon (μc-Si:H ) materials and relatively high efficiency solar cells using very high frequency plasma enhanced chemical vapor deposition (VHF-PECVD) were prepared in a single chamber.本文在单室中采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术,以降低单室沉积工艺中的界面污染和提高单室沉积微晶硅电池的性能为目标,详细研究了单室沉积中的交叉污染问题、不同处理硼污染的方法及其在微晶硅电池中的初步应用。
3.A series of microcrystalline silicon thin films were fabricated by very high frequency plasma enhanced chemical vapor deposition (VHF-PECVD) in a single-chamber under different boron-contamination conditions.采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备了不同腔室环境下的微晶硅薄膜。
6)very high frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition甚高频等离子体增强化学气相沉积
1.A series of microcrystalline silicon thin films were fabricated byvery high frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition at different substrate temperatures (T_s).采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了不同衬底温度的微晶硅薄膜。
2.Microcrystalline silicon solar cells with the variation of silane concentration (SC) and discharge power were fabricated byvery high frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition.采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术成功地制备了不同硅烷浓度和辉光功率条件下的微晶硅电池 。
延伸阅读
等离子体增强化学气相沉积等离子体增强化学气相沉积plasmaenhanced chemical vapor deposition等离子体增强化学气相沉积plasma enhancedChemieal vapor deposition使原料气体在电场中成为等离子体状态，产生化学上非常活泼的激发态分子、原子、离子和原子团等，促进化学反应，在衬底表面上形成薄膜的技术。简称PECVD。它的基本原理是利用等离子体中电子的动能促进化学反应。这一原理在一个世纪前就已被发现，20世纪60年代才开始用于制备薄膜。在电场的作用下，气体分子成为电离状态，通过正、负电荷之间的激烈作用形成等离子体。在低压容器中，电子由于平均自由程大而得以加速，与中性分子或原子发生碰撞。其中，弹性碰撞使气体温度升高，而非弹性碰撞则使原子和分子激发、离解及电离化，产生化学活性的离子和原子团，促进化学反应。PECVD淀积主要包括4个过程:①电子与反应气体在等离子体中反应生成离子及自由基;②反应物质从等离子体中输运到衬底表面;③离子、自由基与衬底反应或在其表面吸附;④反应物质或反应产物在衬底上排列成薄膜。后两个过程是决定薄膜质量的主要因素。PECVD设备主要包括放电系统、抽气系统、反应室及气体导入系统。放电系统用于产生等离子体，一般采用高频电源，频率为50kHz至2.45GHz。高频功率的祸合方式可大致分为电感祸合和电容祸合两类。PECVD的优点是可在较低温度下成膜，热损失少，从而抑制了与衬底的反应，并可在非耐热衬底上成膜。缺点是衬底表面及薄膜易因高能粒子的轰击而造成损伤，产生缺陷。PECVD法已广泛应用于制备非晶硅膜、氮化硅、氧化膜等钝化膜‘它也是制备高分子薄膜的重要方法，这时又被称为等离子体聚合法。(章熙康)
