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【深意】传美光CEO与紫光高层会面;不受贸易战影响台积电南京厂产能相当满;制程开发是

时间：2023-12-28 02:06:58

1.传美光CEO与紫光高层会面！引韩国厂商担忧

2.贸易战没影响！台积电刘德音：南京厂产能相当满

3.研调：紫光建DRAM厂，制程开发是量产的最大挑战

4.第一届海沧集成电路先进封装技术培训班培训方案

5.投资60亿元，中科北方鞍山12英寸芯片基底材料项目已开工

6.南通诺德三期5G高频高速覆铜板项目明年初将投产

1.传美光CEO与紫光高层会面！引韩国厂商担忧

集微网消息，据台湾经济日报报道，美光CEO Sanjay Mehrotra近期访问中国大陆，并与紫光集团高层见面，传双方可能展开合作。

时值中美贸易战如火如荼之际，中美两大存储器企业高层见面谈合作，引发业界高度关注。

韩媒《Business Korea》报导，Sanjay Mehrotra访问中国已让韩国感到担忧，担心一旦美光与紫光合作，将对韩国存储器产业形成庞大的压力。

也有业界人士认为，Sanjay Mehrotra此行可能是美光应对中国贸易战，探询未来中国对美国重要科技和知识产权的重视程度，以便在中美贸易谈判达成协议后，了解未来是否有进一步合作机会，但目前双方应属于试探性的拜会居多。

2.贸易战没影响！台积电刘德音：南京厂产能相当满

芯科技消息（文/罗伊）台积电董事长刘德音今（5）日出席天下企业公民奖颁奖典礼，会后接受媒体采访时，针对南京厂上半年亏损表示，中美贸易战初期认为大陆厂商生意可能受影响，进而冲击台积电业绩，现在看来影响不大，南京厂产能相当满，明年也将照计划扩厂。

南京厂目前产能是1万片，预计下半年增加5000片，明年再增5000片，达成第1期目标每月2万片，刘德音强调，目前一切依照原定速度完成扩厂计划。

展望后市，刘德音强调，今年下半年主要动能是7nm，需求依旧强劲，他笑称，因为全球没有人会做，所以台积电下半年是安然过关；全年情形则与先前估计差不多。

他补充指出，明年贸易战似乎会持续延烧，目前看来产业景气会较之前预期差，不过台积电因保持技术领先，目前订单能见度高，看好明年5G作为主要动能，带动智能手机、高性能计算等应用需求。

刘德音认为，整体而言，明年运营相当乐观，也因此公司近期大胆招人、大胆扩产，资本支出方面下次财报会将作详细说明。

另外，针对大陆积极挖角台湾地区人才，刘德音表示，在公司是有看到一些迹象，但是数量极少，且因深信只有台积电才是这些技术人才能够发挥之处，所以不担心人才被挖角。（校对/小山）

台积电董事长刘德音。图片来源：芯科技

3.研调：紫光建DRAM厂，制程开发是量产的最大挑战

芯科技消息（文/罗伊）集邦科技存储器储存研究表示，紫光集团于8月27日宣布与重庆市政府签署合作协议，并在重庆投资DRAM研发中心与工厂，厂房预定底动工，并于完工。这显示出在福建晋华遭到美国禁售之后，以及在中美贸易摩擦影响下，中国大陆加速自主开发DRAM产品的进程。

紫光集团已于6月30日公告成立DRAM事业群，由曾任工信部电子信息司司长的刁石京出任董事长，CEO则由高启全担任，更加确立中国大陆自主开发半导体的发展方向。

集邦推估，紫光DRAM事业群首先要面对的挑战将是相关制程技术的开发。当时的福建晋华，姑且不论美国的禁售，先前在技术上已与联电密切合作，让制程与产品都按照原订计划进行；合肥长鑫也与奇梦达有技术互相授权，有助产品开发。

紫光集团方面，旗下IC设计公司紫光国微具有DRAM相关产品的研发实力，但制程开发上至今仍未有合作对象，未来如果以自主开发的方向进行，至少需要3-5年的研发时间，代表就算工厂完工甚至进入小批量投片，然达到一定的经济规模仍需要更长的时间。

紫光集团目前较为欠缺的制程研发能力，预计可望藉由其CEO高启全的业界人脉进行补强，而高启全在紫光的5年任期即将在明年届满，是否会对紫光的DRAM发展产生影响，也须持续关注。

集邦说，紫光集团并非首次计划进军DRAM产业，早在就曾表达出研发DRAM的决心，但当时为了平衡产业与地方发展，且紫光已经确定NAND发展路线，后续DRAM的开发计划因而停摆。此次回归，主要是因福建晋华去年11月遭美国颁布禁售令后，量产与未来研发之路不确定性因素高，加上合肥长鑫虽预计今年底导入量产，但整体放量最快也要底。

综合上述，对中国大陆而言，仅有1家DRAM厂不足以实现自主开发目标，尤其又面临中美贸易摩擦等大环境因素，因此让紫光集团重新出线进行DRAM的开发与生产。（校对/小山）

4.第一届海沧集成电路先进封装技术培训班培训方案

随着半导体产业的持续发展，摩尔定律不再能够完全描述集成电路的前进脚步，原有特征尺寸的等比例缩小的原则在未来的集成电路开发中不再完全适用，即便是在资本支出不断增加的背景下，集成电路的性能提升仍然变得愈加缓慢。作为集成电路产业中不可或缺的后道工序，封装技术越发重要，密切关系到系统的有效链接以及微电子产品的质量和竞争力。先进封装技术的研发成为持续推进半导体产品性能提升和功耗降低的关键因素，把不同工艺节点及工艺技术的不同IC集成到一个SoC或SiP上成为推动整个半导体产业持续发展的关键路径之一。

为贯彻落实《国家集成电路产业发展推进纲要》，助推工业和信息化部“软件和集成电路人才培养计划”的实施，培养一批掌握核心关键技术、处于世界前沿水平的中青年专家和技术骨干，以高层次人才队伍建设推动共性、关键性、基础性核心领域的整体突破，促进我国集成电路产业持续快速发展，特举办厦门海沧第一届“集成电路先进封装技术Advanced IC Packaging Technology Training Course专题培训班”，此次精心设计的培训课程方案将涉及先进的封装和集成技术解决方案，介绍半导体封装技术发展历史、现状和发展趋势，深入讲解Flip Chip、MEMS、WLP、Bumping、FOWLP、TSV、Silicon Interposer、3D WLCSP、3D IC封装技术；讲解高性能的封装设计知识，包括如何有效地进行封装设计的电性能SI/PI评估与仿真分析、如何进行封装系统的热分析与热管理、量产封装的可靠性设计与实效分析、芯片-封装-系统的协同设计以及射频数模混合SiP封装设计等。通过对这些技术问题的深入讨论与适用技能培训，将有助于集成电路设计人员、封装工程师、设备和材料工程师更好地制定产品研发、需求定义、产品规格以及发展路线，并将促进中国集成电路与半导体产业生态圈的同行之间更好地合作与交流。

培训班结束后，参加培训者可获得“厦门大学国家集成电路产教融合平台培训证书”。

一、主办单位：

海沧IC设计公共技术服务平台（海沧ICC）

厦门云天半导体科技有限公司

二、指导单位：

厦门大学国家集成电路产教融合平台

厦门半导体投资集团

三、培训对象：

课程面向相关集成电路企业（包括芯片设计公司、晶圆IC代工厂、封装和组装厂、半导体设备以及原材料制造商）的高管、技术主管、项目主管、封装设计工程师、芯片后端设计工程师、SI/PI仿真分析工程师、Thermal仿真分析工程师、业务经理等；科研机构的科研人员、相关专业学生以及 VC 投资者。

课程 PPT 为中英文，授课为中文。

四、讲师介绍

讲师1：于大全，毕业于大连理工大学，获学博士学位。-，担任德国夫豪恩霍夫微集成与可靠性研究所洪堡研究员，-，任新加坡微电子研究所高级研发工程师，-任中国科学院微电子研究所，研究员，博士生导师。-，担任华进半导体先导技术研发中心有限公司技术总监。加入华天科技，任职天水华天科技集团CTO，封装技术研究院院长，华天科技（昆山）电子有限公司副总经理。任厦门云天半导体科技有限公司总经理，厦门大学微电子学院特聘教授。担任社会兼职有国家科技重大专项02专项总体组特聘专家，中国半导体行业协会MEMS分会副理事长，国家封测联盟专家委员会委员，IEEE高级会员，全国半导体器件标准化技术委员会委员等。长期从事先进封装技术研究，承担了国家科技重大专项02专项项目、课题，发表论文160多篇, 申请国内外发明专利140项，授权发明专利40多项。研发的硅/玻璃通孔，晶圆级封装，扇出型封装技术取得了良好经济效益和社会效益。

讲师2：马盛林，7月毕业于北京大学，获微电子学与固态电子学专业博士学位。8月起在厦门大学机电工程系工作，受聘为厦门大学副教授，受聘为博士生导师，1月起至现在受聘为北京大学微米/纳米加工技术国家级重点实验室客座研究员。主要从事IC先进封装（TSV、3D SIP、MEMS）、三维射频微系统集成、植入电子微系统封装等方向研究工作，承担多项国家级重点课题任务，包括国防973项目、02国家科技重大专项、原总装备部预研项目、装备发展部预研项目、国家自然科学基金项目等；累计发表论文30余篇（SCI/EI检索）、申请发明专利20余项，其中1项PCT专利，拥有2项美国发明专利和10余项中国发明专利授权，4篇学术论文获得国际学术会议最佳论文奖。

讲师3：代文亮，苏州芯禾电子科技有限公司创始人，担任公司工程副总裁，同时担任上海芯波电子科技有限公司总经理。毕业于上海交通大学，获工学博士学位，同年加入美国Cadence公司，参与组建Cadence上海全球研发中心，并担任高级技术顾问；离开Cadence创办苏州芯禾电子科技有限公司（Xpeedic），担任工程副总裁，主要分管电子设计自动化EDA软件开发、IPD射频芯片设计和系统内封装SiP产品的研发和设计服务。目前在电磁建模分析领域已获得美国专利4项，中国专利6项，正在申请专利12项，在国际杂志上已发表二十余篇文章（其中8篇SCI收录），同时担任IEEE TMTT、 IEEE TAP、DAC等国际期刊和会议的常规审稿人，参与编写《Cadence系统级封装设计》、《Cadence高速电路设计》和《混合信号设计方法学指导》；在高速电路设计分析方面有较深的造诣，被工业和信息化部聘为国家信息技术紧缺人才培养工程专家(集成电路类)，代博士现担任中国电子科技集团公司微系统客座首席专家，在IC China上被中国半导体行业协会遴选为度“中国芯”十大风云人物。

五、课程安排

培训时间：

9月28日~9月29日

培训地点：

厦门市海沧区海沧大道567号，厦门中心E座14F

中沧工业区8号厂云天半导体厂区（仅限设计公司学员参观）

六、培训费用

本次课程培训费（含授课费、场地费、资料费、培训期间午餐、证书），学员交通、食宿等费用自理（开课前将提供相关协议酒店信息供选择）。

请于年 9月25 日前将课程培训费汇至如下银行账号。

培训费用：

海沧区企事业单位：每个单位两个免费名额，超出的1000元/人

厦门市企事业单位：2000元/人

厦门市外企事业单位：3000元/人

教师/学生：免费（教材费100元/人）

户名：厦门海沧信息产业发展有限公司

开户行：兴业银行厦门海沧支行

帐号： 1299 4010 0100 1536 21

七、报名方式：

1）邮件报名：

请各单位收到通知后，积极选派人员参加，此次培训人数150人，报名截止日期为年9月20日。

请在此日期前将报名信息发送至厦门海沧IC设计公共技术服务平台邮箱

Email: shif@

八、课程大纲

本期培训班为期两天，具体课程安排如下：

授课讲师：于大全课程大纲1-7

授课讲师：马盛林课程大纲 8

授课讲师：代文亮课程大纲9-13

1、Evolution of microsystem packaging technology(微系统封装技术演变)

The development of semiconductor industry

Principle of semiconductor packaging technology

Interconnect technology: WB, FC, TSV

Traditional packaging and advanced packaging technology

The developing trend of packaging technology

2、Wafer level bumping and flip-chip technology (晶圆级凸点和倒装互连技术)

Introduction of C4 technology

Bump type and materials

Wafer bumping process

Flip chip technology

Flip chip manufacturing process

Developing trend

3、WLCSP(fan-in) technology(WLCSP(fan-in)封装集成技术)

Market Overview

WLCSP Process

WLCSP applications

WLCSP for filters

Developing Trend

4、FOWLP package technology(FOWLP封装集成技术)

Fan-in and Fan-out MEMS

Market Overview

Process of FOWLP

Info technology

New fan-out technologies

Developing Trend

5、2.5D packaging technology(2.5D封装集成技术)

Overview

TSV interposer structure

TSV interposer manufacturing process

Design, manufacture, assembly and test of a 2.5D package

CoWoS

Developing trend of 2.5D package

6、3D WLCSP using TSV(应用硅通孔技术的3D WLCSP封装技术)

3D WLCSP Market Overview

3D WLCSP for CIS

3D WLCSP for finger sensor

3D WLCSP using vertical TSVs

3D WLCSP developing Trend

7、TGV technology(玻璃通孔集成技术)

Advantages of glass substrate

TGV structure and process

2.5D packaging using TGV

Applications of TGV

Developing Trend

8、MEMS device and Package (MEMS器件与封装)

MEMS Market Overview

Traditional MEMS technology

Inertial MEMS,MEMS pressure sensor,RF MEMS,switch and FBAR,MEMS microphone,etc.

Microfluidic device

Process principle, industrialization platform, application

Piezoelectric MEMS transducer

Principle, the state of art of AlN MEMS transducer, case study,

Developing Trend

new material and process platform, merging between fabrication and package,3D system in package,intelligent with software,etc.

9、S Parameter Analysis for 3D Modeling in Frequency Domain (3D封装内的S参数模型分析技术)

S parameter overview

S parameter to TDR/Eye-diagram

De-embedding Method

Dk/Df Extraction

parameter Quality Check

10、Simulation Solution for On-Chip Passives in Advanced Nodes （先进工艺节点中无源器件的仿真解决方案）

Fast Modeling in Virtuoso Environment

Auto Via Defeaturing/Back Annotation

Advanced Node Process Variation

Export 3D RFIC Model to 3rd Tools

11、Fast IC-Package Co-simulation in RF IC Design （RF IC设计中芯片-封装的快速协同仿真方案）

SIP Approach to Integrate Multiple Dies

IC-Package Modeling and Simulation

RF FEM in QFN Package

RF FEM in BGA Package

12、2.5D Silicon Interposer Design for HPC （高性能计算芯片中2.5D硅转接板设计技术）

HBM Structure Overview

SGS (Signal-Ground-Signal) Design

CPG (Co-Planar Ground) Design

Die-Package Channel with TSV

Transient/Statistical Simulation

13. Automated fast PDK model generation （自动化的PDK创建技术）

Passive Component Templates

Physics-based Scalable Model

ANN-based Synthesis Flow

Foundry Certified EM simulator

5.投资60亿元，中科北方鞍山12英寸芯片基底材料项目已开工

集微网消息（文/小如）据鞍山日报报道，近日，总投资60亿元的中科北方芯片基底材料项目已经奠基开工。

据鞍山日报报道，这是20多年来，在高新区落地的投资规模最大、采用水平最高、技术创新能力最强的一个高新技术项目。

中科北方投资发展有限公司此前在鞍山注册辽宁科兴半导体科技有限公司，注册资本30亿元，拟建设芯片基底材料（SOI）基地项目。

8月25日，辽宁科兴半导体科技有限公司举行了揭牌仪式。

据悉，辽宁科兴半导体科技有限公司芯片基底材料（SOI）基地项目总投资60亿元，建设年产12英寸芯片基底材料（SOI）100万片，项目分两期建设，项目一期投资30亿元，建设年产12英寸寸芯片基底材料（SOI）50万片。

图片来源：中科北方

此外，鞍山市政府官网显示，该项目于9月开工，（预计于）12月竣工投产。（校对/小北）

6.南通诺德三期5G高频高速覆铜板项目明年初将投产

集微网消息（文/小如）据南通工信微报报道，江苏诺德新材料股份有限公司三期5G高频高速覆铜板项目目前基础设施建设已经完成85%，预计11月份引进设备进行调试，明年初即可投产。

12月18日，江苏诺德新材料股份有限公司三期工程在南通如东正式开工建设，该期工程主要围绕5G高频高速微波覆铜板、HDI积层板及半固化树脂片两大项目开展。据悉，诺德新材料三期总投资5亿元，占地105亩，全部建成投产后可新增年产13万m² 5G高频微波覆铜箔板、69.4万m²5G高速微波覆铜箔板、137万m²半固化树脂片、13.95万m²多层HDI积层板。

据南通工信微报报道，该公司管理部经理说，公司三期5G高频高速覆铜板项目致力于世界一流的质量目标方向，5G高频高速产品现已小批量产投入市场推广与测试认证中，力争明年2月份大生产线顺利投产并实现国产材料替代进口材料，产品系列丰富，届时将打破美国、日本等国外高端材料的垄断与封锁。

覆铜板号称电子行业中的“钢筋水泥”，随着5G时代的到来，迎来发展黄金期，与传统覆铜板相比，该项目主打的高频高速覆铜板可广泛应用于航空航天、信号基地站、军工雷达、半导体、通讯、智能手机、智慧城市等多个行业领域，是国家“十三五”规划中的战略新兴材料产业与鼓励扶持项目之一。

江苏诺德新材料股份有限公司由信德国际（香港）有限公司、南通盈凯投资中心（有限合伙）、南通源鼎电子科技有限公司、南通铭旺景宸投资合伙企业（有限合伙）、如东融实毅达产业投资基金（有限合伙）共同投资创办，成立于12月。

诺德新材料于成功在“三板”挂牌上市，定位高频高速微波，布局5G、汽车和医疗等战略新兴产业，是目前国内少数能为全球印制电路板生产企业提供生产所需的全系列产品和全程质量服务的厂家。（校对/小北）

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